一般的單片機(jī)晶震旁邊會有2個起振電容，它們起到什么作用？我們該如何選擇這個起振電容參數(shù)呢?

晶振電路中為什么要使用起振電容？

只有在外部所接電容為匹配電容的情況下，振蕩頻率才能保證在標(biāo)稱頻率附近的誤差范圍內(nèi)。從原理上講直接將晶振接到單片機(jī)上，單片機(jī)就可以工作。但這樣構(gòu)成的振蕩電路中會產(chǎn)生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波),這個波對電路的影響不大,但會降低電路的時鐘振蕩器的穩(wěn)定性. 為了電路的穩(wěn)定性起見，建議在晶振的兩引腳處接入兩個瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩(wěn)定性的影響,所以晶振必須配有起振電容，但電容的具體大小沒有什么普遍意義上的計算公式，不同芯片的要求不同。這里提示兩點(diǎn)：
（1）：因為每一種晶振都有各自的特性，所以優(yōu)秀按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。
（2）：在許可范圍內(nèi)，C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會增加起振時間，比較常用的為15p-30p之間。優(yōu)秀按照所提供的數(shù)據(jù)來，如果沒有，一般是30pF左右。太小了不容易起振。

如何選擇有源晶振和無源晶振起振電容呢？

晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個網(wǎng)絡(luò)有兩個諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當(dāng)?shù)慕咏谶@個極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。這個并聯(lián)諧振電路加到一個負(fù)反饋電路中就可以構(gòu)成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。在某些情況下，也可以通過調(diào)整這兩個電容的大小來微調(diào)振蕩頻率，當(dāng)然可調(diào)范圍一般在10ppm量級。
串電阻是降低驅(qū)動功率，避免過激勵，并是為了幫助起振，串的一般都是百歐姆級，并的一般都上M，很懷疑樓主這個電路是否能正常工作。

選型提示：
1、一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。
2、因為每一種晶振都有各自的特性，所以優(yōu)秀按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。 
3、 在許可范圍內(nèi)，電容C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會增加起振時間。 
4、應(yīng)使C2值大于C1值，這樣可使上電時，加快晶振起振。

   南京鼎魁科技供應(yīng)

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